نام كاربري:
رمز عبور:
هنوز در سايت عضو نشدهايد؟
صفحه اصلي
|
RSS
|
ثبت نام
|
ورود به سايت
|
نقشه سایت
چاپ
ذخيره پيوند
ارسال به دوست
ديودهاي پرسرعت و ترانزيستورهاي كممصرف با نانوسيمها
خلاصه خبر:
عليجاوي و همكارانش در دانشگاه كاليفرنيا به روش جديدي براي دوپ كردن نانوسيمهاي نيمهرسانا به محض رشدشان، با ناخالصيهاي نوع p دست يافتهاند.
تصویر در اندازه واقعی
مشروح خبر:
عليجاوي و همكارانش در دانشگاه كاليفرنيا به روش جديدي براي دوپ كردن نانوسيمهاي نيمهرسانا به محض رشدشان، با ناخالصيهاي نوع p دست يافتهاند. انجام چنين كاري تاكنون مشكل بوده است. اين روش ميتواند براي ساخت ديودهاي پرسرعت و ترانزيستورهاي كممصرف مبتني بر نانوسيمهاي آرسنيد اينديوم(InAs) استفاده شود.
يكي از نيمهرساناهاي نويدبخش براي نانوسيمها آرسنيد اينديوم است، زيرا الكترونها در سرتاسر اين ماده با سرعت بالايي حركت ميكنند. اين ماده همچنين به آساني به الكترودهاي فلزي متصل ميشود، بنابراين ساخت افزاره الكترونيكي با آن آسان است. اگرچه، بواسطه اتصال (pinnin
g
تراز فرمي كه در سطح InAs اتفاق ميافتد (منجر به يك لايه سطحي غني از الكترون ميشود)، دوپكردن نانوسيمهاي InAs با ناخالصي نوع p هميشه يك چالش بوده است.
اكنون گروه تحقيقاتي علي جاوي، با روش دوپكردن سطح الگودادهشدهي خود بر اين مشكل غلبه كرده و ناحيههاي دوپشده با ناخالصي نوع p توليد كردهاند.
اين محققان با تركيب روشهاي فوتوليتوگرافي با يك روش ساده سطحي فاز گاز روي (Z
N
، ترانزيستورهاي اثر ميداني نيمهرساناي اكسيد فلزي- نوع p (p-MOSFET) و ديودهاي مبتني بر نانوسيم InAs ساختهاند. (گيت آنها يك نانوسيم InAs است.) اين ديودهاي توليدشده به صورت ايدهآل فاكتورهايي حدود يك و نيم دارند كه اين نشاندهندهي اتصالهاي بسيار باكيفيت p-n ميباشد. p-MOSFETهاي توليدشده نيز نسبتهاي جريان روشن به خاموشي بيش از103 دارند. اين نتايج نشاندهنده توانايي اين روش دوپكردن الگوداده براي ساخت افزارههاي الكترونيكي مختلفِ با عملكرد بالا هستند.
اين دانشمندان اكنون محدوديتهاي عملكردي اين نانوافزارههاي InAs ساختهشده با روششان را بررسي ميكنند. آنها همچنين اميدوارند روش شان را براي نيمهرساناهاي III-V توسعه دهند.
نتايج اين تحقيق در مجلهي Nanoletters منتشر شدهاست.
منبع: ستاد توسعه فناوری نانو
» نوشته شده توسط گروه خبر نانوسان
تاریخ درج خبر: 18/12/1388
بازدیدها: 46
تعداد نظرات: 0
صفحه اصلی سایت
صفحه اصلی بخش اخبار
صفحه اصلی اخبار علمی و آموزشی
» اخبار مرتبط
نظرات:
پاسخ به:
نظر مستقیم
عنوان شما:
نظر:
آمار